MBT3906DW1T1G
库存 ：80194
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.741358 | ￥2.74 |
| 10 | ￥1.906492 | ￥19.06 |
| 100 | ￥0.930816 | ￥93.08 |
| 500 | ￥0.776054 | ￥388.03 |
| 1000 | ￥0.539177 | ￥539.18 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 400 mV
最大直流电集电极电流 - 200 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 200 mAdc
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 MBT3906DW1T2G
单位重量 6 mg
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注
MBT3906DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、MBT3906DW1T1G
数据手册PDF。
MBT3906DW1T1G
型号：MBT3906DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：80194 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.741358 |
| 10+： | ￥1.906492 |
| 100+： | ￥0.930816 |
| 500+： | ￥0.776054 |
| 1000+： | ￥0.539177 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.74