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SI2302CDS-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI2302CDS-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
渠道:
digikey

库存 :120910

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.261264 8.26
10 5.094445 50.94
100 3.241781 324.18
500 2.438909 1219.45
1000 2.179598 2179.60

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 2.6 A

漏源电阻 57 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 850 mV

栅极电荷 3.5 nC

耗散功率 710 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 13 S

上升时间 7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 8 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3

单位重量 8 mg

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SI2302CDS-T1-E3

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型号:SI2302CDS-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:120910 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.261264
10+: ¥5.094445
100+: ¥3.241781
500+: ¥2.438909
1000+: ¥2.179598

货期:7-10天

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