货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.261264 | ¥8.26 |
10 | ¥5.094445 | ¥50.94 |
100 | ¥3.241781 | ¥324.18 |
500 | ¥2.438909 | ¥1219.45 |
1000 | ¥2.179598 | ¥2179.60 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 57 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 710 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2302CDS-T1-E3
型号:SI2302CDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.261264 |
10+: | ¥5.094445 |
100+: | ¥3.241781 |
500+: | ¥2.438909 |
1000+: | ¥2.179598 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.26