NSS20101JT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.335879 | ￥1.68 |
| 50 | ￥0.250974 | ￥12.55 |
| 150 | ￥0.235378 | ￥35.31 |
| 500 | ￥0.219784 | ￥109.89 |
| 2500 | ￥0.212853 | ￥532.13 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 220 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 350 MHz
技术 Si
外形参数
高度 0.7 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.85 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 2.700 mg
NSS20101JT1G 同类别型号
注
NSS20101JT1G
型号：NSS20101JT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.335879 |
| 50+： | ￥0.250974 |
| 150+： | ￥0.235378 |
| 500+： | ￥0.219784 |
| 2500+： | ￥0.212853 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00