NSS20101JT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.394399 | ￥1183.20 |
| 6000 | ￥0.354751 | ￥2128.51 |
| 9000 | ￥0.334548 | ￥3010.93 |
| 15000 | ￥0.311819 | ￥4677.28 |
| 21000 | ￥0.298309 | ￥6264.49 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 220 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 350 MHz
技术 Si
外形参数
高度 0.7 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.85 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 2.700 mg
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注
NSS20101JT1G
型号：NSS20101JT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.394399 |
| 6000+： | ￥0.354751 |
| 9000+： | ￥0.334548 |
| 15000+： | ￥0.311819 |
| 21000+： | ￥0.298309 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00