NSVBC858CLT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.197752 | ￥593.26 |
| 6000 | ￥0.187012 | ￥1122.07 |
| 9000 | ￥0.15917 | ￥1432.53 |
| 30000 | ￥0.147206 | ￥4416.18 |
| 75000 | ￥0.12736 | ￥9552.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 420 at - 2 mA, - 5 V
直流电流增益（Max） 800 at -2 mA, - 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBC858CLT1G 同类别型号
注
NSVBC858CLT1G
型号：NSVBC858CLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.197752 |
| 6000+： | ￥0.187012 |
| 9000+： | ￥0.15917 |
| 30000+： | ￥0.147206 |
| 75000+： | ￥0.12736 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00