NSVBC858CLT1G
库存 ：3920
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.576084 | ￥2.58 |
| 10 | ￥1.59111 | ￥15.91 |
| 100 | ￥0.978913 | ￥97.89 |
| 500 | ￥0.710698 | ￥355.35 |
| 1000 | ￥0.623869 | ￥623.87 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 30 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 420 at - 2 mA, - 5 V
直流电流增益（Max） 800 at -2 mA, - 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBC858CLT1G 同类别型号
注
NSVBC858CLT1G
型号：NSVBC858CLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：3920 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.576084 |
| 10+： | ￥1.59111 |
| 100+： | ￥0.978913 |
| 500+： | ￥0.710698 |
| 1000+： | ￥0.623869 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.58