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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 47 kOhms
典型电阻器比率 4.7
直流集电极 50
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
耗散功率 150 mW
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 25 V
工作温度范围 - 65 C to + 150 C
高度 1.2 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.5 mm
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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0RN2118MFV(TPL3)
型号:RN2118MFV(TPL3)
品牌:Toshiba
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