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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 1 kOhms
直流集电极 120
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 150 mW
集电极—基极电压 - 50 V
直流电流增益(Max) 400
发射极 - 基极电压 - 5 V
工作温度范围 - 65 C to + 150 C
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
类型 PNP Epitaxial Silicon Transistor
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0RN2119MFV(TPL3)
型号:RN2119MFV(TPL3)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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