货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.261264 | ¥8.26 |
10 | ¥5.063848 | ¥50.64 |
100 | ¥3.223424 | ¥322.34 |
500 | ¥2.427589 | ¥1213.79 |
1000 | ¥2.170572 | ¥2170.57 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4.76 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.1 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 8 mg
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0NTR4170NT1G
型号:NTR4170NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.261264 |
10+: | ¥5.063848 |
100+: | ¥3.223424 |
500+: | ¥2.427589 |
1000+: | ¥2.170572 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.26