EMH3FHAT2R
库存 ：7990
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.950369 | ￥5.95 |
| 10 | ￥4.491111 | ￥44.91 |
| 25 | ￥4.051917 | ￥101.30 |
| 100 | ￥2.136465 | ￥213.65 |
| 250 | ￥2.114363 | ￥528.59 |
| 500 | ￥1.89335 | ￥946.68 |
| 1000 | ￥1.473425 | ￥1473.42 |
| 2500 | ￥1.348183 | ￥3370.46 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 100
直流电流增益（Max） 600
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 EMH3FHA
EMH3FHAT2R 同类别型号
注
EMH3FHAT2R
型号：EMH3FHAT2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：7990 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.950369 |
| 10+： | ￥4.491111 |
| 25+： | ￥4.051917 |
| 100+： | ￥2.136465 |
| 250+： | ￥2.114363 |
| 500+： | ￥1.89335 |
| 1000+： | ￥1.473425 |
| 2500+： | ￥1.348183 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.95