NSVBC857CWT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.18511 | ￥555.33 |
| 6000 | ￥0.166864 | ￥1001.18 |
| 9000 | ￥0.157394 | ￥1416.55 |
| 15000 | ￥0.146724 | ￥2200.86 |
| 21000 | ￥0.140348 | ￥2947.31 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 45 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 100 mA
直流集电极 420
直流电流增益（Max） 800
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 5 mg
NSVBC857CWT1G 同类别型号
注
NSVBC857CWT1G
型号：NSVBC857CWT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.18511 |
| 6000+： | ￥0.166864 |
| 9000+： | ￥0.157394 |
| 15000+： | ￥0.146724 |
| 21000+： | ￥0.140348 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00