SBC856BDW1T3G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.241362 | ￥2413.62 |
| 20000 | ￥0.221222 | ￥4424.44 |
| 30000 | ￥0.210932 | ￥6327.96 |
| 50000 | ￥0.199189 | ￥9959.45 |
| 70000 | ￥0.192244 | ￥13457.08 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 100 mA
直流集电极 220 at - 2 mA, - 5 V
直流电流增益（Max） 475 at - 2 mA, - 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
SBC856BDW1T3G 同类别型号
注
SBC856BDW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
，可在锐单商城现货采购SBC856BDW1T3G、查询SBC856BDW1T3G代理商；
SBC856BDW1T3G价格批发咨询客服；这里拥有
SBC856BDW1T3G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SBC856BDW1T3G
替代型号
、SBC856BDW1T3G
数据手册PDF。
SBC856BDW1T3G
型号：SBC856BDW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.241362 |
| 20000+： | ￥0.221222 |
| 30000+： | ￥0.210932 |
| 50000+： | ￥0.199189 |
| 70000+： | ￥0.192244 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00