
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.597401 | ¥1792.20 |
| 6000 | ¥0.572579 | ¥3435.47 |
| 9000 | ¥0.515327 | ¥4637.94 |
| 30000 | ¥0.50772 | ¥15231.60 |
| 75000 | ¥0.477179 | ¥35788.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 18.4 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 231 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3023L-7
型号:DMN3023L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.597401 |
| 6000+: | ¥0.572579 |
| 9000+: | ¥0.515327 |
| 30000+: | ¥0.50772 |
| 75000+: | ¥0.477179 |
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