NSM4002MR6T1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 40 V, 45 V

集电极—基极电压 60 V, 50 V

发射极 - 基极电压 6 V, 5 V

饱和电压 300 mV, 700 mV

最大直流电集电极电流 200 mA, 500 mA

耗散功率 300 mW

增益带宽产品 300 MHz, 100 MHz

集电极连续电流 200 mA, 500 mA

直流集电极 30 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V

直流电流增益（Max） 300, 600

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 13.430 mg