SI1012CR-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1012CR-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.580728 | ￥1742.18 |
| 6000 | ￥0.567762 | ￥3406.57 |
| 9000 | ￥0.502874 | ￥4525.87 |
| 30000 | ￥0.496391 | ￥14891.73 |
| 75000 | ￥0.421748 | ￥31631.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 396 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 240 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 7.5 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1012CR-GE3
单位重量 2 mg
SI1012CR-T1-GE3 同类别型号
注
SI1012CR-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI1012CR-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1012CR-T1-GE3
型号：SI1012CR-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.580728 |
| 6000+： | ￥0.567762 |
| 9000+： | ￥0.502874 |
| 30000+： | ￥0.496391 |
| 75000+： | ￥0.421748 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00