SI1012CR-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1012CR-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
- 渠道：
- digikey
库存 ：94583
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.566432 | ￥5.57 |
| 10 | ￥3.945983 | ￥39.46 |
| 100 | ￥1.992784 | ￥199.28 |
| 500 | ￥1.765921 | ￥882.96 |
| 1000 | ￥1.37429 | ￥1374.29 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 396 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 240 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 7.5 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1012CR-GE3
单位重量 2 mg
SI1012CR-T1-GE3 同类别型号
注
SI1012CR-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI1012CR-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1012CR-T1-GE3
型号：SI1012CR-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：94583 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.566432 |
| 10+： | ￥3.945983 |
| 100+： | ￥1.992784 |
| 500+： | ￥1.765921 |
| 1000+： | ￥1.37429 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.57