
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.09186 | ¥6.09 |
| 10 | ¥5.241834 | ¥52.42 |
| 100 | ¥3.910125 | ¥391.01 |
| 500 | ¥3.072564 | ¥1536.28 |
| 1000 | ¥2.374268 | ¥2374.27 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 25 V
饱和电压 42 mV
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 200
直流电流增益(Max) 1200
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 15 mg
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0HN1C03F-B(TE85L,F)
型号:HN1C03F-B(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.09186 |
| 10+: | ¥5.241834 |
| 100+: | ¥3.910125 |
| 500+: | ¥3.072564 |
| 1000+: | ¥2.374268 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.09