EMX2DXV6T5G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：8000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.521199 | ￥4169.59 |
| 16000 | ￥0.450766 | ￥7212.26 |
| 24000 | ￥0.44233 | ￥10615.92 |
| 56000 | ￥0.366248 | ￥20509.89 |
| 200000 | ￥0.360599 | ￥72119.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
增益带宽产品 180 MHz
集电极连续电流 0.1 A
直流集电极 120
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
EMX2DXV6T5G 同类别型号
注
EMX2DXV6T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、EMX2DXV6T5G
数据手册PDF。
EMX2DXV6T5G
型号：EMX2DXV6T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8000+： | ￥0.521199 |
| 16000+： | ￥0.450766 |
| 24000+： | ￥0.44233 |
| 56000+： | ￥0.366248 |
| 200000+： | ￥0.360599 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00