NSS12200LT1G
库存 ：2149
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.930891 | ￥5.93 |
| 10 | ￥4.855918 | ￥48.56 |
| 25 | ￥4.443226 | ￥111.08 |
| 100 | ￥2.788754 | ￥278.88 |
| 250 | ￥2.757864 | ￥689.47 |
| 500 | ￥2.582408 | ￥1291.20 |
| 1000 | ￥1.756039 | ￥1756.04 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V
集电极—基极电压 - 12 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 130 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 540 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流集电极 250
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSS12200LT1G 同类别型号
注
NSS12200LT1G
型号：NSS12200LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2149 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.930891 |
| 10+： | ￥4.855918 |
| 25+： | ￥4.443226 |
| 100+： | ￥2.788754 |
| 250+： | ￥2.757864 |
| 500+： | ￥2.582408 |
| 1000+： | ￥1.756039 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.93