EMZ1FHAT2R
库存 ：7780
货期：（7~10天）
起订量：1
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定价（含税）
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V, 50 V
集电极—基极电压 - 60 V, 60 V
发射极 - 基极电压 - 6 V, 7 V
饱和电压 - 500 V, 400 V
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 140 MHz, 180 MHz
集电极连续电流 - 150 mA, 150 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
EMZ1FHAT2R 同类别型号
注
EMZ1FHAT2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、EMZ1FHAT2R
数据手册PDF。
EMZ1FHAT2R
型号：EMZ1FHAT2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：7780 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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