UMD6NFHATR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V

集电极—基极电压 50 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V

饱和电压 300 mV, - 300 mV

最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA

耗散功率 150 mW

增益带宽产品 250 MHz

集电极连续电流 - 100 mA, 100 mA

直流集电极 100

直流电流增益（Max） 600

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors