PHE13003C,126
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 9 V
饱和电压 1.5 V
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 2.1 W
增益带宽产品 -
直流集电极 5
直流电流增益（Max） 25
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934063922126
单位重量 453.600 mg
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注
PHE13003C,126品牌厂家：WeEn Semiconductors
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
PHE13003C,126
型号：PHE13003C,126
品牌：WeEn Semiconductors
供货：锐单
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