BC847CDXV6T1G
库存 ：154990
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.857633 | ￥4.86 |
| 10 | ￥3.371769 | ￥33.72 |
| 100 | ￥1.644452 | ￥164.45 |
| 500 | ￥1.371568 | ￥685.78 |
| 1000 | ￥0.953096 | ￥953.10 |
| 2000 | ￥0.825941 | ￥1651.88 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 45 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 0.1 A
直流集电极 420
技术 Si
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
BC847CDXV6T1G 同类别型号
注
BC847CDXV6T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、BC847CDXV6T1G
数据手册PDF。
BC847CDXV6T1G
型号：BC847CDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：154990 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.857633 |
| 10+： | ￥3.371769 |
| 100+： | ￥1.644452 |
| 500+： | ￥1.371568 |
| 1000+： | ￥0.953096 |
| 2000+： | ￥0.825941 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.86