BFU660F,115
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.363553 | ￥4090.66 |
| 6000 | ￥1.275619 | ￥7653.71 |
| 15000 | ￥1.187624 | ￥17814.36 |
| 30000 | ￥1.126064 | ￥33781.92 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
直流集电极 90
击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V
发射极 - 基极电压 2.5 V
集电极连续电流 30 mA
配置 Single
增益带宽产品 21 GHz
耗散功率 225 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
零件号别名 934064611115
单位重量 6.665 mg
BFU660F,115 同类别型号
注
BFU660F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU660F,115
数据手册PDF
。
BFU660F,115
型号：BFU660F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.363553 |
| 6000+： | ￥1.275619 |
| 15000+： | ￥1.187624 |
| 30000+： | ￥1.126064 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00