
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.685744 | ¥5057.23 |
| 6000 | ¥1.5513 | ¥9307.80 |
| 15000 | ¥1.396169 | ¥20942.53 |
| 30000 | ¥1.375485 | ¥41264.55 |
| 75000 | ¥1.292749 | ¥96956.17 |
| 150000 | ¥1.241039 | ¥186155.85 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 20 V
饱和电压 0.042 V
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 30 MHz
集电极连续电流 300 mA
直流集电极 200
直流电流增益(Max) 1200
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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0HN1C03FU-A(TE85L,F
型号:HN1C03FU-A(TE85L,F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.685744 |
| 6000+: | ¥1.5513 |
| 15000+: | ¥1.396169 |
| 30000+: | ¥1.375485 |
| 75000+: | ¥1.292749 |
| 150000+: | ¥1.241039 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00