
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.757927 | ¥2273.78 |
| 6000 | ¥0.689741 | ¥4138.45 |
| 9000 | ¥0.655017 | ¥5895.15 |
| 15000 | ¥0.615938 | ¥9239.07 |
| 21000 | ¥0.59283 | ¥12449.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 4.6 S
上升时间 7.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS308PE H6327 SP000928942
单位重量 40 mg
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0BSS308PEH6327XTSA1
型号:BSS308PEH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.757927 |
| 6000+: | ¥0.689741 |
| 9000+: | ¥0.655017 |
| 15000+: | ¥0.615938 |
| 21000+: | ¥0.59283 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00