货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.798905 | ¥2396.72 |
6000 | ¥0.75053 | ¥4503.18 |
15000 | ¥0.702083 | ¥10531.25 |
30000 | ¥0.644004 | ¥19320.12 |
75000 | ¥0.619745 | ¥46480.88 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2356DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2356DS-T1-GE3
型号:SI2356DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.798905 |
6000+: | ¥0.75053 |
15000+: | ¥0.702083 |
30000+: | ¥0.644004 |
75000+: | ¥0.619745 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00