货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.57216 | ¥5.57 |
10 | ¥4.300565 | ¥43.01 |
100 | ¥2.57891 | ¥257.89 |
500 | ¥2.388314 | ¥1194.16 |
1000 | ¥1.624072 | ¥1624.07 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2356DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
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0SI2356DS-T1-GE3
型号:SI2356DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.57216 |
10+: | ¥4.300565 |
100+: | ¥2.57891 |
500+: | ¥2.388314 |
1000+: | ¥1.624072 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.57