BFU730LXZ
库存 ：24556
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.637848 | ￥9.64 |
| 10 | ￥6.440531 | ￥64.41 |
| 100 | ￥4.390575 | ￥439.06 |
| 500 | ￥3.453411 | ￥1726.71 |
| 1000 | ￥3.143774 | ￥3143.77 |
| 2000 | ￥2.880187 | ￥5760.37 |
| 5000 | ￥2.591664 | ￥12958.32 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar Wideband
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 53 GHz
直流集电极 205
击穿电压(集电极-发射极) 10 V
发射极 - 基极电压 1.3 V
集电极连续电流 5 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 30 mA
输出功率 11.7 dBm
耗散功率 160 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
零件号别名 934066878225
单位重量 0.634 mg
BFU730LXZ 同类别型号
注
BFU730LXZ品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU730LXZ
数据手册PDF
。
BFU730LXZ
型号：BFU730LXZ
品牌：NXP
供货：锐单
库存：24556 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.637848 |
| 10+： | ￥6.440531 |
| 100+： | ￥4.390575 |
| 500+： | ￥3.453411 |
| 1000+： | ￥3.143774 |
| 2000+： | ￥2.880187 |
| 5000+： | ￥2.591664 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.64