SBC846BDW1T1G
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.35816 | ￥0.36 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 0.1 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
SBC846BDW1T1G 同类别型号
注
SBC846BDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SBC846BDW1T1G
数据手册PDF。
SBC846BDW1T1G
型号：SBC846BDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
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单价：
| 1+： | ￥0.35816 |
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