SBC856BDW1T1G
库存 ：12152
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.731931 | ￥5.73 |
| 10 | ￥4.012352 | ￥40.12 |
| 100 | ￥2.02736 | ￥202.74 |
| 500 | ￥1.654285 | ￥827.14 |
| 1000 | ￥1.22738 | ￥1227.38 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 0.1 A
直流集电极 220
直流电流增益（Max） 475
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 28 mg
SBC856BDW1T1G 同类别型号
注
SBC856BDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、SBC856BDW1T1G
数据手册PDF。
SBC856BDW1T1G
型号：SBC856BDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：12152 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.731931 |
| 10+： | ￥4.012352 |
| 100+： | ￥2.02736 |
| 500+： | ￥1.654285 |
| 1000+： | ￥1.22738 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.73