BFU725F/N1,115
库存 ：7472
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.588626 | ￥6.59 |
| 10 | ￥5.668705 | ￥56.69 |
| 100 | ￥3.937015 | ￥393.70 |
| 500 | ￥3.073781 | ￥1536.89 |
| 1000 | ￥2.498458 | ￥2498.46 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 55 GHz
直流集电极 40
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 0.55 V
集电极连续电流 40 mA
配置 Single
集电极—基极电压 10 V
直流电流增益（Max） 160 at 10 mA at 2 V
增益带宽产品 55000 MHz
最大直流电集电极电流 0.04 A
耗散功率 136 mW
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Bipolar Small Signal
零件号别名 934063513115
单位重量 6.670 mg
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注
BFU725F/N1,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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。
BFU725F/N1,115
型号：BFU725F/N1,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：7472 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.588626 |
| 10+： | ￥5.668705 |
| 100+： | ￥3.937015 |
| 500+： | ￥3.073781 |
| 1000+： | ￥2.498458 |
货期：7-10天
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