
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.675703 | ¥2027.11 |
| 6000 | ¥0.647637 | ¥3885.82 |
| 9000 | ¥0.582838 | ¥5245.54 |
| 30000 | ¥0.574229 | ¥17226.87 |
| 75000 | ¥0.539678 | ¥40475.85 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN4060SVT-7
型号:DMN4060SVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.675703 |
| 6000+: | ¥0.647637 |
| 9000+: | ¥0.582838 |
| 30000+: | ¥0.574229 |
| 75000+: | ¥0.539678 |
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