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起订量:10
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数量 | 价格 | 总计 |
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10 | ¥7.319376 | ¥73.19 |
100 | ¥5.22576 | ¥522.58 |
200 | ¥3.995856 | ¥799.17 |
500 | ¥3.393072 | ¥1696.54 |
800 | ¥3.051792 | ¥2441.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 300 MHz
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 80
直流电流增益(Max) 250
技术 Si
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
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0MMDT5551-7-F
型号:MMDT5551-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥7.319376 |
100+: | ¥5.22576 |
200+: | ¥3.995856 |
500+: | ¥3.393072 |
800+: | ¥3.051792 |
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