
货期:国内(1~3工作日)
起订量:20
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ¥0.989054 | ¥19.78 |
| 100 | ¥0.589996 | ¥59.00 |
| 800 | ¥0.412973 | ¥330.38 |
| 3000 | ¥0.294998 | ¥884.99 |
| 6000 | ¥0.280236 | ¥1681.42 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 300 MHz
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 80
直流电流增益(Max) 250
技术 Si
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
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0MMDT5551-7-F
型号:MMDT5551-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 20+: | ¥0.989054 |
| 100+: | ¥0.589996 |
| 800+: | ¥0.412973 |
| 3000+: | ¥0.294998 |
| 6000+: | ¥0.280236 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00