
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.143476 | ¥6.14 |
| 10 | ¥4.343295 | ¥43.43 |
| 100 | ¥2.193079 | ¥219.31 |
| 500 | ¥1.789325 | ¥894.66 |
| 1000 | ¥1.327563 | ¥1327.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 300 MHz
集电极连续电流 0.2 A
直流集电极 80
直流电流增益(Max) 250
技术 Si
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
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0MMDT5551-7-F
型号:MMDT5551-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.143476 |
| 10+: | ¥4.343295 |
| 100+: | ¥2.193079 |
| 500+: | ¥1.789325 |
| 1000+: | ¥1.327563 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.14