货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.600247 | ¥3.60 |
10 | ¥2.675183 | ¥26.75 |
30 | ¥2.508506 | ¥75.26 |
100 | ¥2.333493 | ¥233.35 |
500 | ¥2.258488 | ¥1129.24 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
购物车
0SI8824EDB-T2-E1
型号:SI8824EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.600247 |
10+: | ¥2.675183 |
30+: | ¥2.508506 |
100+: | ¥2.333493 |
500+: | ¥2.258488 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.60