货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.916 | ¥2.92 |
10 | ¥2.16675 | ¥21.67 |
30 | ¥2.03175 | ¥60.95 |
100 | ¥1.89 | ¥189.00 |
500 | ¥1.82925 | ¥914.63 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8824EDB-T2-E1
型号:SI8824EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.916 |
10+: | ¥2.16675 |
30+: | ¥2.03175 |
100+: | ¥1.89 |
500+: | ¥1.82925 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.92