货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.43665 | ¥5.44 |
10 | ¥4.361676 | ¥43.62 |
25 | ¥3.983582 | ¥99.59 |
100 | ¥2.502095 | ¥250.21 |
250 | ¥2.47417 | ¥618.54 |
500 | ¥2.316755 | ¥1158.38 |
1000 | ¥1.575394 | ¥1575.39 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 120 V
集电极—基极电压 - 120 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 300 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益(Max) 700
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 14 mg
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0HN4A51JTE85LF
型号:HN4A51JTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.43665 |
10+: | ¥4.361676 |
25+: | ¥3.983582 |
100+: | ¥2.502095 |
250+: | ¥2.47417 |
500+: | ¥2.316755 |
1000+: | ¥1.575394 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.44