NSVMUN531335DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.643691 | ￥1931.07 |
| 6000 | ￥0.604647 | ￥3627.88 |
| 15000 | ￥0.565657 | ￥8484.85 |
| 30000 | ￥0.518846 | ￥15565.38 |
| 75000 | ￥0.499325 | ￥37449.38 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN, PNP
典型输入电阻器 47 kOhms
典型电阻器比率 1, 0.047
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 385 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 7.500 mg
NSVMUN531335DW1T1G 同类别型号
注
NSVMUN531335DW1T1G
型号：NSVMUN531335DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.643691 |
| 6000+： | ￥0.604647 |
| 15000+： | ￥0.565657 |
| 30000+： | ￥0.518846 |
| 75000+： | ￥0.499325 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00