
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.658355 | ¥1975.07 |
| 6000 | ¥0.630986 | ¥3785.92 |
| 9000 | ¥0.567857 | ¥5110.71 |
| 30000 | ¥0.559468 | ¥16784.04 |
| 75000 | ¥0.525791 | ¥39434.32 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 164 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 10 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 15.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3J351R,LF
型号:SSM3J351R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.658355 |
| 6000+: | ¥0.630986 |
| 9000+: | ¥0.567857 |
| 30000+: | ¥0.559468 |
| 75000+: | ¥0.525791 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00