货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.326915 | ¥5.33 |
10 | ¥4.297045 | ¥42.97 |
100 | ¥2.923884 | ¥292.39 |
500 | ¥2.19256 | ¥1096.28 |
1000 | ¥1.644479 | ¥1644.48 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.9 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 8.6 S
上升时间 5.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.4 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN2F30FHTA
型号:ZXMN2F30FHTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.326915 |
10+: | ¥4.297045 |
100+: | ¥2.923884 |
500+: | ¥2.19256 |
1000+: | ¥1.644479 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.33