55GN01MA-TL-E
库存 ：1899
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.935086 | ￥5.94 |
| 10 | ￥4.197988 | ￥41.98 |
| 100 | ￥2.119259 | ￥211.93 |
| 500 | ￥1.878673 | ￥939.34 |
| 1000 | ￥1.462058 | ￥1462.06 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 4.5 GHz
直流集电极 100 at 10 mA, 5 V
击穿电压(集电极-发射极) 10 V
发射极 - 基极电压 3 V
集电极连续电流 70 mA
配置 Single
耗散功率 400 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
55GN01MA-TL-E 同类别型号
注
55GN01MA-TL-E品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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、55GN01MA-TL-E
数据手册PDF。
55GN01MA-TL-E
型号：55GN01MA-TL-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：1899 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.935086 |
| 10+： | ￥4.197988 |
| 100+： | ￥2.119259 |
| 500+： | ￥1.878673 |
| 1000+： | ￥1.462058 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.94