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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 4 GHz (Typ)
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 5 V
发射极 - 基极电压 2 V
集电极连续电流 60 mA
配置 Single
集电极—基极电压 10 V
直流电流增益(Max) 140
耗散功率 100 mW
工作温度范围 - 55 C to + 125 C
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 UHF Band Oscillator and Amplifier
单位重量 6.200 mg
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0MT3S16U(TE85L,F)
型号:MT3S16U(TE85L,F)
品牌:Toshiba
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