DMN1019USN-7
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- 制造商编号：
- DMN1019USN-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.710592 | ￥2131.78 |
| 6000 | ￥0.667527 | ￥4005.16 |
| 15000 | ￥0.624463 | ￥9366.94 |
| 30000 | ￥0.572774 | ￥17183.22 |
| 75000 | ￥0.551214 | ￥41341.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 27.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN1019USN-7 同类别型号
注
DMN1019USN-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN1019USN-7
数据手册PDF
。
DMN1019USN-7
型号：DMN1019USN-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.710592 |
| 6000+： | ￥0.667527 |
| 15000+： | ￥0.624463 |
| 30000+： | ￥0.572774 |
| 75000+： | ￥0.551214 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00