货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.86906 | ¥2607.18 |
6000 | ¥0.816391 | ¥4898.35 |
15000 | ¥0.763723 | ¥11455.85 |
30000 | ¥0.700507 | ¥21015.21 |
75000 | ¥0.67414 | ¥50560.50 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 27.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN1019USN-7
型号:DMN1019USN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.86906 |
6000+: | ¥0.816391 |
15000+: | ¥0.763723 |
30000+: | ¥0.700507 |
75000+: | ¥0.67414 |
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