货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.325708 | ¥5.33 |
10 | ¥4.272402 | ¥42.72 |
100 | ¥2.912572 | ¥291.26 |
500 | ¥2.184251 | ¥1092.13 |
1000 | ¥1.638188 | ¥1638.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 27.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN1019USN-7
型号:DMN1019USN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.325708 |
10+: | ¥4.272402 |
100+: | ¥2.912572 |
500+: | ¥2.184251 |
1000+: | ¥1.638188 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.33