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DMN1019USN-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN1019USN-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
渠道:
digikey

库存 :7896

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.325708 5.33
10 4.272402 42.72
100 2.912572 291.26
500 2.184251 1092.13
1000 1.638188 1638.19

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 9.3 A

漏源电阻 10 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 350 mV

栅极电荷 27.3 nC

耗散功率 1.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16.8 ns

上升时间 57.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 22.2 ns

典型接通延迟时间 7.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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型号:DMN1019USN-7

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥5.325708
10+: ¥4.272402
100+: ¥2.912572
500+: ¥2.184251
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