货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥0.862155 | ¥8.62 |
100 | ¥0.786083 | ¥78.61 |
500 | ¥0.71001 | ¥355.00 |
1000 | ¥0.633938 | ¥633.94 |
2000 | ¥0.583223 | ¥1166.45 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 132 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2.7 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1.1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1308EDL-T1-BE3 SI1304BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3
单位重量 6 mg
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0SI1308EDL-T1-GE3
型号:SI1308EDL-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
10+: | ¥0.862155 |
100+: | ¥0.786083 |
500+: | ¥0.71001 |
1000+: | ¥0.633938 |
2000+: | ¥0.583223 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00