NSVMUN5111DW1T3G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.974441 | ￥0.97 |
| 25 | ￥0.790455 | ￥19.76 |
| 50 | ￥0.695055 | ￥34.75 |
| 100 | ￥0.620099 | ￥62.01 |
| 250 | ￥0.55877 | ￥139.69 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 35
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 385 mW
输出电压 200 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 6.200 mg
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注
NSVMUN5111DW1T3G
型号：NSVMUN5111DW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.974441 |
| 25+： | ￥0.790455 |
| 50+： | ￥0.695055 |
| 100+： | ￥0.620099 |
| 250+： | ￥0.55877 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.97