MUN5114T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.282062 | ￥2.82 |
| 100 | ￥0.214752 | ￥21.48 |
| 300 | ￥0.202389 | ￥60.72 |
| 1000 | ￥0.190026 | ￥190.03 |
| 5000 | ￥0.184532 | ￥922.66 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.21
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 202 mW
直流电流增益（Max） 80
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 6.200 mg
MUN5114T1G 同类别型号
注
MUN5114T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、MUN5114T1G
数据手册PDF。
MUN5114T1G
型号：MUN5114T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.282062 |
| 100+： | ￥0.214752 |
| 300+： | ￥0.202389 |
| 1000+： | ￥0.190026 |
| 5000+： | ￥0.184532 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00