货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.853453 | ¥2560.36 |
6000 | ¥0.818034 | ¥4908.20 |
9000 | ¥0.73618 | ¥6625.62 |
30000 | ¥0.725309 | ¥21759.27 |
75000 | ¥0.681682 | ¥51126.15 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2318CDS-T1-GE3
型号:SI2318CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.853453 |
6000+: | ¥0.818034 |
9000+: | ¥0.73618 |
30000+: | ¥0.725309 |
75000+: | ¥0.681682 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00