SI2318CDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2318CDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
- 渠道：
- digikey
库存 ：125632
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.473604 | ￥5.47 |
| 10 | ￥4.242044 | ￥42.42 |
| 100 | ￥2.543983 | ￥254.40 |
| 500 | ￥2.35589 | ￥1177.94 |
| 1000 | ￥1.602025 | ￥1602.03 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2318CDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2318CDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2318CDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2318CDS-T1-GE3
型号：SI2318CDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：125632 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.473604 |
| 10+： | ￥4.242044 |
| 100+： | ￥2.543983 |
| 500+： | ￥2.35589 |
| 1000+： | ￥1.602025 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.47