MT3S111TU,LF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- MT3S111TU,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管射频
- 商品描述：
- RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.87154 | ￥8614.62 |
| 6000 | ￥2.727962 | ￥16367.77 |
| 15000 | ￥2.615153 | ￥39227.29 |
| 30000 | ￥2.543364 | ￥76300.92 |
| 75000 | ￥2.46132 | ￥184599.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MT3S111TU,LF
制造商
Toshiba(东芝)
商品描述
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
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零件状态
Active
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
6V
频率 - 跃迁
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益
12.5dB
功率 - 最大值
800mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 30mA, 5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
3-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
UFM
MT3S111TU,LF 同类别型号
注
MT3S111TU,LF
型号：MT3S111TU,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.87154 |
| 6000+： | ￥2.727962 |
| 15000+： | ￥2.615153 |
| 30000+： | ￥2.543364 |
| 75000+： | ￥2.46132 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00