货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.660733 | ¥7.66 |
10 | ¥6.783456 | ¥67.83 |
25 | ¥6.123644 | ¥153.09 |
100 | ¥5.35757 | ¥535.76 |
250 | ¥4.702207 | ¥1175.55 |
500 | ¥4.155329 | ¥2077.66 |
1000 | ¥3.280524 | ¥3280.52 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 11.5 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 6 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 700 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 12 mg
购物车
0MT3S111(TE85L,F)
型号:MT3S111(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.660733 |
10+: | ¥6.783456 |
25+: | ¥6.123644 |
100+: | ¥5.35757 |
250+: | ¥4.702207 |
500+: | ¥4.155329 |
1000+: | ¥3.280524 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.66